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SanDisk和东芝推出最新一代的NAND闪存有望装备iPhone 7

2015-08-07 14:00:16来源:腾讯科技

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虽然iPhone 6s和iPhone 6s Plus还未正式发布,但是大众对这来两款新机型的猜测去从未中断,苹果却永远是消费者口中乐此不疲的话题。众所周知iPhone的设计有苹果完全负责,其他零部件则是有世界各地的合作供应商提供,我们不妨猜测下若是其中某家供应商有了很棒的技术革新,那么苹果往后的产品是不是会给消费者带来耳目一新的感觉呢?

几天之前,SanDisk和东芝均推出了最新一代的NAND闪存,而根据最新的消息来看,这种新闪存将很有可能被应用到苹果将在2016年推出的iPhone 7身上,带来更快、更大的存储速度和空间。

iPhone 7闪存技术升级?提升速度与容量

两家存储巨头开发出的世界首款256Gbit X3 48层3D NAND闪存,采用3bit/cell多值化技术,容量为32GB。简单地说,这种32GB的闪存模块无论是在速度还是效率上,都要超过任何现有的产品。目前,这种256Gbit X3芯片采用了15nm的工艺,比市面上最优秀的商用闪存芯片电路密度提高了2倍、存储速度提高4-5倍,而能耗将进一步降低。并且,因为采用了3D堆栈技术,新芯片的面积将缩小,非常适合智能手机、平板电脑之类的设备。

拥有如此优秀的供应商,苹果当然不会轻易放弃。况且之前苹果与SanDisk、东芝已经建立了合作伙伴关系,因此我们有理由相信苹果会在第一时间为自己的产品使用这种最新的闪存技术。

目前,SanDisk和东芝已经完成了今年向iPhone 6s、iPhone 6s Plus第一阶段的供货,而随着新闪存技术的问世,我们将会在iPhone 7上看到两家公司的新成果,同时未来的iPhone 7在存储能力和数据传输速度上,也将大幅提升。

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